KRA114S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KRA114S
Código: PP
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KRA114S
KRA114S Datasheet (PDF)
kra110s-kra114s.pdf
SEMICONDUCTOR KRA110S~KRA114SEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20With Built-in Bias Resistors.B 1.30+0.20/-0.15Simplify Circuit Design. C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.E 2.40+0.30/
kra110m-kra114m.pdf
SEMICONDUCTOR KRA110M~KRA114MEPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURESWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXReduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.HM B 4.30 MAXC 0.55 MAX_D 2.40 + 0.15E 1.27F 2.30C_+G 14.
kra110-kra114.pdf
SEMICONDUCTOR KRA110~KRA114EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORTECHNICAL DATASWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B CFEATURESWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27EQUIVALENT CIRCUIT
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