KRC235S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KRC235S
Código: NNB
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 6.8 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KRC235S
KRC235S Datasheet (PDF)
krc231s-krc235s.pdf
SEMICONDUCTOR KRC231S~KRC235STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.AUDIO MUTING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER EL B LCIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15FEATURESC 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05With Built-in Bias Resistors.E 2.40+0.30/-0.201G 1.90Simplify Circuit Design.H 0.95R
krc231m-krc235m.pdf
SEMICONDUCTOR KRC231M~KRC235MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.AUDIO MUTING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER BCIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERSOFEATURESA 3.20 MAXHM B 4.30 MAX With Built-in Bias Resistors.C 0.55 MAX_ Simplify Circuit Design. D 2.40 + 0.15E 1.27 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
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SEMICONDUCTOR KRC231M~KRC235MTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION.AUDIO MUTING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER BCIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERSOFEATURESA 3.20 MAXHM B 4.30 MAXWith Built-in Bias Resistors.C 0.55 MAX_Simplify Circuit Design. D 2.40 + 0.15E 1.27Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Proces
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