KRC235S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KRC235S
Código: NNB
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 6.8 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: SOT-23
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KRC235S datasheet
krc231s-krc235s.pdf
SEMICONDUCTOR KRC231S KRC235S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER E L B L CIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 FEATURES C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 With Built-in Bias Resistors. E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 Simplify Circuit Design. H 0.95 R
krc231m-krc235m.pdf
SEMICONDUCTOR KRC231M KRC235M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER B CIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS O FEATURES A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX With Built-in Bias Resistors. C 0.55 MAX _ Simplify Circuit Design. D 2.40 + 0.15 E 1.27 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
krc231m-krc235m 1.pdf
SEMICONDUCTOR KRC231M KRC235M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER B CIRCUIT APPLICATION. DIM MILLIMETERS O FEATURES A 3.20 MAX H M B 4.30 MAX With Built-in Bias Resistors. C 0.55 MAX _ Simplify Circuit Design. D 2.40 + 0.15 E 1.27 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Proces
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