KRC285S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KRC285S

Código: MUB

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 350

Encapsulados: SOT-23

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KRC285S datasheet

 9.1. Size:380K  kec
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KRC285S

SEMICONDUCTOR KRC281M KRC286M TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. B FEATURES High emitter-base voltage VEBO=25V(Min) High reverse hFE reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) DIM MILLIMETERS O A 3.20 MAX Low on resistance Ron=1 (Typ.) (IB=5mA) H M B 4.30 MAX C 0.55 MAX With Built-in Bias Resistors. _ D 2.40 + 0

 9.2. Size:357K  kec
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KRC285S

SEMICONDUCTOR KRC281S KRC286S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS High emitter-base voltage VEBO=25V(Min) _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 High reverse hFE reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Low on resistance Ron=1 (Typ.) (IB=5mA)

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KRC285S

SEMICONDUCTOR KRC281U KRC286U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. AUDIO MUTING APPLICATION. FEATURES E High emitter-base voltage VEBO=25V(Min) M B M High reverse hFE reverse hFE=150(Typ.) (VCE=-2V, IC=-4mA) DIM MILLIMETERS _ + A 2.00 0.20 Low on resistance Ron=1 (Typ.) (IB=5mA) D 2 _ B 1.25 + 0.15 With Built-in Bias Resistors.

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