2N1195 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1195
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.22 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 275 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO5
Otros transistores... 2N1189 , 2N118A , 2N119 , 2N1190 , 2N1191 , 2N1192 , 2N1193 , 2N1194 , 8050 , 2N1196 , 2N1197 , 2N1198 , 2N1199 , 2N1199A , 2N120 , 2N1200 , 2N1201 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050