H2N6718V Todos los transistores

 

H2N6718V . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H2N6718V
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO-126ML
 

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H2N6718V Datasheet (PDF)

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H2N6718V

Spec. No. : HE6616HI-SINCERITYIssued Date : 1993.09.24Revised Date : 2005.08.16MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N6718VNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N6718V is designed for general purpose medium power amplifier andswitching.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ...............................................

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H2N6718V

Spec. No. : HT200701 HI-SINCERITY Issued Date : 2007.08.01 Revised Date : 2007.08.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N6718T NPN Epitaxial Planar Transistor Description TO-126 The H2N6718T is designed for general purpose medium power amplifier and switching. Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ...................................

 7.2. Size:51K  hsmc
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H2N6718V

Spec. No. : HE6218HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2004.05.03MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N6718LNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N6718L is designed for general purpose medium power amplifier andswitching applications.FeaturesTO-92 High Power: 850mW High Current: 1AAbsolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesSt

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History: FXT668 | 2SB376 | CD5000D

 

 
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