CD965 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CD965
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de CD965
CD965 datasheet
cd965.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CD965 TO-92 Plastic Package B C E For Low Frequency Power Amplification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 20 V VCBO Collector Base Voltage 40 V VEBO Emitter Base Voltage 7 V IC Collector Current
Otros transistores... CD9018E , CD9018F , CD9018G , CD9018H , CD9018I , CD9018J , CD909 , CD9581 , SS8050 , CD965P , CD965Q , CD965R , CDA1585BC , CDB550 , CDB550B , CDB550C , CF103 .
History: BD246C | 2SD965A | BC489-18 | 2SD965-S | KSA1220A | KTA2014S2 | CD965R
History: BD246C | 2SD965A | BC489-18 | 2SD965-S | KSA1220A | KTA2014S2 | CD965R
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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