CK100B Todos los transistores

 

CK100B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CK100B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-39
 

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CK100B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:221K  cdil
 cl100s ck100s.pdf pdf_icon

CK100B

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN/PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS CL100S NPNCK100S PNPTO-39ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VCollector -Base Voltage VCBO 60 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current ICM 1.0 APower Dissipation @ Ta=25 deg C PD 800 mWDe

 9.2. Size:224K  cdil
 cl100 ck100 a b.pdf pdf_icon

CK100B

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR POWER TRANSISTORS CL100, A, B NPNCK100, A, B PNPTO-39Metal Can PackageMedium Power Transistors Suitable for a wide Range of Medium Voltage and Current Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCERCollector Emitter Voltage 50 VVCBOCo

 9.3. Size:192K  china
 3ck100.pdf pdf_icon

CK100B

3CK100 PNP A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.5 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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