CK100B Todos los transistores

 

CK100B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CK100B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-39

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CK100B datasheet

 9.1. Size:221K  cdil
cl100s ck100s.pdf pdf_icon

CK100B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN/PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS CL100S NPN CK100S PNP TO-39 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Collector -Base Voltage VCBO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current ICM 1.0 A Power Dissipation @ Ta=25 deg C PD 800 mW De

 9.2. Size:224K  cdil
cl100 ck100 a b.pdf pdf_icon

CK100B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS CL100, A, B NPN CK100, A, B PNP TO-39 Metal Can Package Medium Power Transistors Suitable for a wide Range of Medium Voltage and Current Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCER Collector Emitter Voltage 50 V VCBO Co

 9.3. Size:192K  china
3ck100.pdf pdf_icon

CK100B

3CK100 PNP A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.5 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

Otros transistores... CJF3055 , CJF31C , CJF32C , CJF44H11 , CJF45H11 , CJF6107 , CJF6388 , CJF6668 , BD135 , CK100S , CL100A , CL100B , CL100S , CLB764 , CLD667 , CLD667A , CLD863 .

 

 

 


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