CMBT4403 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMBT4403  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: SOT-23

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CMBT4403 datasheet

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CMBT4403

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT4403 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR P N P transistor Marking CMBT4403 = 2T Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector emitter voltage VCEO max. 40 V Collector current (DC) I max. 600 mA C D

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CMBT4403

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT4401 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR N P N transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS CMBT4401 = 2X ALL DIMENSIONS IN mm Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector emitter voltage VCEO max. 40 V C

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CMBT4403

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CMBT4403

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