CSA562 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSA562
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSA562
CSA562 Datasheet (PDF)
csa562.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSA562TO-92Plastic PackageBBCCEEAudio Frequency Low Power Amplifier Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector-Base Voltage 35 VVCEOCollector-Emitter Voltage 30 VV
tcsa562.pdf
TCSA562*TO-92 PLASTIC PACKAGEPNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR ROHSAudio Frequency Low Power Amplifier Applications.BBCCEEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector-Base Voltage 35 VVCEOCollector-Emitter Voltage 30 VVEBOEmitter-Base Voltage 5 VICCollector Current 500 mAIBBase Current 100 mA
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050