CSB1058A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSB1058A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 16 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-92

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CSB1058A datasheet

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CSB1058A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1058 TO-92 BCE B C E Low Frequency Power Amplifier. Complementary CSD1489 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage BVCBO 20 V Collector Emitter Voltage BVCEO 16 V Emitter B

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CSB1058A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB1065 TO126 Plastic Package E C B Complementary CSD1506 Low Frequency Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage(open emitter) >60 V Collector Emitter Voltage (open b

Otros transistores... CSC2274KF, CSA988, CSA988E, CSA988F, CSA988P, CSAL1013, CSAL928A, CSB1058, BD222, CSB1058B, CSB1116, CSB1116A, CSB1116G, CSB1116L, CSB1116Y, CSB1181, CSB1182