CSB810 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSB810

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 110 V

Tensión colector-emisor (Vce): 110 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 110 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO-220

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CSB810 datasheet

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CSB810

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB810 (9AW) TO-220 MARKING CSB 810 Designed for Relay Drive and Motor Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 110 V Collector -Emitter Voltage VCEO 110 V Emitter Base Voltage VEBO

 9.1. Size:223K  cdil
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CSB810

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP POWER TRANSISTOR CSB 817F TO 3P Plastic Package B C E Complementary CSD1047F Audio Power Amplifier and DC to DC Converter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise ) DESCRIPTION SYMBOL MIN TYP MAX UNIT Collector -Base Voltage(open emitter) VCBO 160 V Collector -Emitter

Otros transistores... CSB744R, CSB744Y, CSB764, CSB772, CSB772E, CSB772P, CSB772Q, CSB772R, BC547B, CSB892, CSC1187, CSC1187O, CSC1187R, CSC1187Y, CSC1213, CSC1213A, CSC1213AB