CSC1213D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSC1213D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: TO-92

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CSC1213D datasheet

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CSC1213D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS CSC1213 CSC1213A TO-92 Plastic Package Low Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL CSC1213 CSC1213A UNIT VCEO Collector Emitter Voltage 35 50 V VCBO Collector Base Voltage 35 50 V VEBO Emitter

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