CSC1959 Todos los transistores

 

CSC1959 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSC1959
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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CSC1959 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  cdil
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CSC1959

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSC1959TO-92BCEBCEAudio Frequency Low Power Amplifier Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C )DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 35 VCollector -Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Curr

 9.1. Size:239K  cdil
 csc1906.pdf pdf_icon

CSC1959

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC1906TO-92Plastic PackageBCEVHF Amplifier Mixer, Local OscillatorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 30 VVCEOCollector Emitter Voltage 19 VVEBOEmitter Base Voltage 2 VICCollector Curren

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