CSC1959 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSC1959
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSC1959
CSC1959 Datasheet (PDF)
csc1959.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSC1959TO-92BCEBCEAudio Frequency Low Power Amplifier Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C )DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 35 VCollector -Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Curr
csc1906.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC1906TO-92Plastic PackageBCEVHF Amplifier Mixer, Local OscillatorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 30 VVCEOCollector Emitter Voltage 19 VVEBOEmitter Base Voltage 2 VICCollector Curren
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