CSC2786 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSC2786
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSC2786
CSC2786 Datasheet (PDF)
csc2786 mf lf kf.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC2786TO-92Plastic PackageBCEFor use in FM RF AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 20 VVCBOCollector Base Voltage 30 VVEBOEmitter Base Voltage 4 VIBBase Current 20
csc2713.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC2713PIN CONFIGURATION (NPN)SOT-231 = BASE2 = EMITTERFormed SMD Package3 = COLLECTOR312MARKINGCSC2713 =13CSC2713G =13GCSC2713L =13LComplementary CSA1163Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING
csc2712.pdf
IS/ISO 9002 IS / IECQC 700000Lic# QSC/L- 000019.2 IS / IECQC 750100Continental Device India LimitedAn IS/ISO 9002 and IECQ Certified ManufacturerSOT-23 Formed SMD Package CSC2712SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORN-P-N transistorMarkingPACKAGE OUTLINE DETAILSCSC2712Y=1EALL DIMENSIONS IN mmCSC2712GR(G)=1FCSC2712BL(L)=1GPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLE
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MPS2222ARLRMG | 2N1701
History: MPS2222ARLRMG | 2N1701
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050