CSC815Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSC815Y
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO-92
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CSC815Y datasheet
csc815.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CSC815 TO-92 CBE Low Frequency Amplifier And High Frequency Oscillator. Complementary CSA539 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V
Otros transistores... CSC536KE, CSC536KF, CSC536KG, CSC536KH, CSC815, CSC815G, CSC815Q, CSC815R, 2SD669, CSC945, CSC945K, CSC945P, CSC945Q, CSC945R, CSCL2328A, CSCL2383, CSCL2482
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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