CSB1065P Todos los transistores

 

CSB1065P . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSB1065P
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO-126
 

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CSB1065P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:229K  cdil
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CSB1065P

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP PLASTIC POWER TRANSISTORCSB1065TO126 Plastic PackageECBComplementary CSD1506Low Frequency Power AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage(open emitter) >60 VCollector Emitter Voltage (open b

 9.1. Size:235K  cdil
 csb1058.pdf pdf_icon

CSB1065P

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1058TO-92BCEBCELow Frequency Power Amplifier.Complementary CSD1489ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage BVCBO 20 VCollector Emitter Voltage BVCEO 16 VEmitter B

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History: H368

 

 
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