CSB1065R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSB1065R
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
Paquete / Cubierta: TO-126
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSB1065R
CSB1065R Datasheet (PDF)
csb1065.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP PLASTIC POWER TRANSISTORCSB1065TO126 Plastic PackageECBComplementary CSD1506Low Frequency Power AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage(open emitter) >60 VCollector Emitter Voltage (open b
csb1058.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1058TO-92BCEBCELow Frequency Power Amplifier.Complementary CSD1489ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage BVCBO 20 VCollector Emitter Voltage BVCEO 16 VEmitter B
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