CSB857C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSB857C

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-220

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CSB857C datasheet

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CSB857C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSB857, CSB858 CSD1133, CSD1134 CSB857, 858 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS CSD1133, 1134 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Low frequency Power Amplifier PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. B E F A 14.42 16.51 B 9.63

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CSB857C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB856 TO-220 Plastic Package LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCEO Collector -Emitter Voltage 50 V VCBO Collector -Base Voltage 50 V VEBO Emitter Base Voltage 4.0 V IC Collector Current Continuous 3.0 A PD P

Otros transistores... CSB834O, CSB834Y, CSB856, CSB856A, CSB856B, CSB856C, CSB857, CSB857B, MJE340, CSB857D, CSB858, CSB858B, CSB858C, CSB858D, CSC1008, CSC1008G, CSC1008O