CSC5299F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSC5299F

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W

Tensión colector-base (Vcb): 1500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 800 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO-3P

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CSC5299F datasheet

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CSC5299F

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company POWER TRANSISTORS CSC5299F NPN TO- 3P Fully Isolated Plastic Package B C E Power Amplifier Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise ) VALUE DESCRIPTION SYMBOL UNIT VCBO Collector -Base Voltage 1500 V VCEO Collector -Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter Bas

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CSC5299F

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON POWER TRANSISTOR CSC5200F TO-3P POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. Complementary CSA1943F MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 160 V Collector -Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter -Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current IC 12 A Base C

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