2SC4855 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC4855 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 12 V
Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: CP4
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2SC4855 datasheet
2sc4855.pdf
Ordering number EN4759 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4855 Low-Voltage, Low-Current& High-Frequency Amplifier Applications Features Package Dimensions Low-voltage, low-current operation fT=5GHz typ. unit mm 2 (VCE=1V, IC=1mA) S21e =7.5dB typ 2110A (f=1GHz). [2SC4855] 1.9 NF=2.6dB typ (f=1GHz). 0.95 0.95 0.4 0.16 4 3 0 to 0.1 2 1 0.6 0.95 0.85
2sc4853a.pdf
Ordering number ENA1076 2SC4853A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Low-Voltage, Low-Current 2SC4853A High-Frequency Amplifier Applications Features Low-voltage, low-current operation fT=5GHz typ. (VCE=1V, IC=1mA) S21e 2=7dB typ (f=1GHz). NF=2.6dB typ (f=1GHz). Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol
2sc4854.pdf
Ordering number EN4579 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4854 Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifier Applications Features Package Dimensions Low-voltage, low-current operation fT=5GHz typ. unit mm 2 (VCE=1V, IC=1mA) S21e =7dB typ (f=1GHz). 2018B NF=2.6dB typ (f=1GHz). [2SC4854] 0.4 0.16 3 0 0.1 1 0.95 2 0.95 1.9 2.9 1 Base 2 Emitte
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History: TK40A | 2SD898 | BA16P25A
🌐 : EN ES РУ
Liste
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