2SC4871 Todos los transistores

 

2SC4871 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC4871
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 16 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: MCP
 
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2SC4871 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  sanyo
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2SC4871

Ordering number:EN4857NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4871UHF to S Band Low-Noise Amplifier,OSC ApplicationsFeatures Package Dimensions High cutoff frequency : fT=10GHz typ.unit:mm2 High gain : S21e =13dB typ (f=1GHz).2059B Low noise : NF=1.3dB typ (f=1GHz).[2SC4871] Small Cob : Cob=0.4pF typ.0.30.1530 to 0.11 20.3 0.60.65 0.6

 8.1. Size:743K  1
 2sc482 2sc483 2sc484 2sc485 2sc486 2sc487 2sc488 2sc489.pdf pdf_icon

2SC4871

 8.2. Size:21K  hitachi
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2SC4871

2SC4877Silicon NPN Triple DiffusedApplicationTO3PFMTV / character display horizontal deflection outputFeatures High breakdown voltage1. BaseVCES = 1500 V 2. Collector3. Emitter Builtin damper diode type Isolated packageTO-3PFM123213Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Rating Unit

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
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2SC4871

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4878DESCRIPTIONHigh Breakdown VoltageHigh Switching SpeedBuilt in damper diode100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSVery high-definition CRT display horizontal deflectionoutput applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

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