2SC5321 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5321
Código: MU
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 8 V
Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 9000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.45 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: SC-70
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC5321
2SC5321 Datasheet (PDF)
2sc5322ft.pdf
2SC5322FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5322FT VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: |S |2 = 10dB (f = 2 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltag
2sc5322.pdf
2SC5322 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5322 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 10dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 1.5 V
2sc5320.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC5320SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current Capability IC=10mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=5V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 8 Collecto
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050