2SC5464 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5464  📄📄 

Código: MX_MY

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.06 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: 2-2H1A

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2SC5464 datasheet

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2SC5464

2SC5464 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5464 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure, high gain. NF = 1.1dB, S 2 = 12dB (f = 1 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 12 V Emitter-base voltage VEBO 3 V C

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2SC5464

2SC5464FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5464FT VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure, high gain. NF = 1.1dB, S 2 = 12dB (f = 1 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 12 V Emitter-base voltage VEBO 3

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2SC5464

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2SC5464

2SC5465 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5465 Industrial Applications Switching Regulator and High Voltage Switching Unit mm Applications High Speed DC-DC Converter Applications Excellent switching times tr = 0.7 s (max) t = 0.5 s (max) (I = 0.08 A) f C High collector breakdown voltage V = 800 V CEO Maximum Ratings (Ta = 25 C) Cha

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