2SC5839 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5839 📄📄
Código: 1N
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 9 V
Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 10000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: ML3-N2
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2SC5839 datasheet
2sc5839.pdf
Transistors 2SC5839 Silicon NPN epitaxial planar type For low-voltage high-frequency amplification Unit mm Features High transition frequency fT 3 2 Suitable for high-density mounting and downsizing of the equip- 1 ment for Ultraminiature leadless package 0.39+0.01 1.00 0.05 -0.03 0.6 mm 1.0 mm (height 0.39 mm) 0.25 0.05 0.25 0.05 1 Absolute Maximum Ratings
2sc5838.pdf
Transistors 2SC5838 Silicon NPN epitaxial planar type For UHF band low-noise amplification Unit mm Features 3 2 Suitable for high-density mounting and downsizing of the equip- ment for Ultraminiature leadless package 1 0.6 mm 1.0 mm (height 0.39 mm) 0.39+0.01 1.00 0.05 -0.03 0.25 0.05 0.25 0.05 1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C Parameter Symbol Rating Unit
2sc5586 2sc5830 2sc5924.pdf
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History: 2SC5831
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