2N1210 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1210
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
2N1210 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1204A , 2N1205 , 2N1206 , 2N1207 , 2N1208 , 2N1208-1 , 2N1209 , 2N1209-1 , 8550 , 2N1210-1 , 2N1211 , 2N1211-1 , 2N1212 , 2N1212-1 , 2N1213 , 2N1214 , 2N1215 .
History: BC807K-16 | 2SA922-2 | 2SC2923 | 3CG953 | 2N1683 | PZTA28
History: BC807K-16 | 2SA922-2 | 2SC2923 | 3CG953 | 2N1683 | PZTA28



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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