FJN4305R Todos los transistores

 

FJN4305R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJN4305R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 0.5 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 20

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

 Búsqueda de reemplazo de FJN4305R

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FJN4305R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  fairchild semi
 fjn4305r.pdf pdf_icon

FJN4305R

FJN4305RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJN3305RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCV

 8.1. Size:36K  fairchild semi
 fjn4302r.pdf pdf_icon

FJN4305R

FJN4302RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K, R2=10K) Complement to FJN3302RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.2. Size:36K  fairchild semi
 fjn4303r.pdf pdf_icon

FJN4305R

FJN4303RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K, R2=22K) Complement to FJN3303RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.3. Size:70K  fairchild semi
 fjn4306r.pdf pdf_icon

FJN4305R

FJN4306RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K, R2=47K) Complement to FJN3306RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FJN3312R , FJN3313R , FJN3314R , FJN3315R , FJN4301R , FJN4302R , FJN4303R , FJN4304R , TIP3055 , FJN4306R , FJN4307R , FJN4308R , FJN4309R , FJN4310R , FJN4311R , FJN4312R , FJN4313R .

History: 2SC685 | ECG391

 

 
Back to Top

 


 
.