FJN4313R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJN4313R

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: TO-92

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FJN4313R datasheet

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FJN4313R

FJN4313R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K , R2=47K ) Complement to FJN3313R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VCB

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FJN4313R

FJN4312R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K ) Complement to FJN3312R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-

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FJN4313R

FJN4310R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJN3310R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-

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FJN4313R

FJN4311R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to FJN3311R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VCBO Collector-

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