FJNS3201R Todos los transistores

 

FJNS3201R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJNS3201R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO-92S
 

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FJNS3201R Datasheet (PDF)

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FJNS3201R

FJNS3201RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=4.7K) Complement to FJNS4201RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

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FJNS3201R

FJNS3204RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit Driver Circuit, Built in bias Resistor (R1=47K, R2=47K) Complement to FJNS4204RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCV

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FJNS3201R

FJNS3205RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJNS4205RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units

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FJNS3201R

FJNS3202RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K, R2=10K) Complement to FJNS4202RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCV

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History: UNR221K | 2SC3295 | DTC108 | FA4L4M | BSY71 | 2N1073B | 2SD613

 

 
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