FJNS3206R Todos los transistores

 

FJNS3206R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJNS3206R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: TO-92S
 

 Búsqueda de reemplazo de FJNS3206R

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FJNS3206R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  fairchild semi
 fjns3206r.pdf pdf_icon

FJNS3206R

FJNS3206RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K, R2=47K) Complement to FJNS4206RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units

 7.1. Size:69K  fairchild semi
 fjns3201r.pdf pdf_icon

FJNS3206R

FJNS3201RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=4.7K) Complement to FJNS4201RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.2. Size:65K  fairchild semi
 fjns3204r.pdf pdf_icon

FJNS3206R

FJNS3204RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit Driver Circuit, Built in bias Resistor (R1=47K, R2=47K) Complement to FJNS4204RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCV

 7.3. Size:69K  fairchild semi
 fjns3205r.pdf pdf_icon

FJNS3206R

FJNS3205RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJNS4205RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FJN4314R , FJN5471 , FJN965 , FJNS3201R , FJNS3202R , FJNS3203R , FJNS3204R , FJNS3205R , BC327 , FJNS3207R , FJNS3208R , FJNS3210R , FJNS3211R , FJNS3212R , FJNS3213R , FJNS3214R , FJNS3215R .

History: 2SC515 | KT218E9 | MMUN2232L | DMBT5551

 

 
Back to Top

 


 
.