2N6319 Todos los transistores

 

2N6319 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6319
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 80 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1000 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2N6319 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:165K  mospec
 2n6315-18.pdf pdf_icon

2N6319

AAAA

 9.2. Size:196K  bocasemi
 2n6312 2n6313 2n6314 2n4231a 2n4232a 2n4233a.pdf pdf_icon

2N6319

ABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com

 9.3. Size:131K  inchange semiconductor
 2n6312 2n6313 2n6314.pdf pdf_icon

2N6319

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6312 2N6313 2N6314 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Low leakage current APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol3 CollectorA

 9.4. Size:131K  inchange semiconductor
 2n6315 2n6316.pdf pdf_icon

2N6319

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6315 2N6316 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Complement to type 2N6317/6318 APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collect

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History: MMBTA20 | BCW94K | BSR19A | CJF6107 | 2SC6072 | 2N3224 | 2SD2095

 

 
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