FJX3904 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJX3904

Código: S1A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-323

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FJX3904 datasheet

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FJX3904

January 2007 FJX3904 NPN Epitaxial Silicon Transistor General Purpose Transistor 3 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCES Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 350

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FJX3904

FJX3906 3 General Purpose Transistor 2 1 SOT-323 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCES Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage

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