FPN560 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FPN560
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO-226
- Selección de transistores por parámetros
FPN560 Datasheet (PDF)
fpn560.pdf

FPN560FPN560ATO-226CBENPN Low Saturation TransistorThese devices are designed for high current gain and lowsaturation voltage with collector currents up to 3.0 A continuous.Sourced from Process NA.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 VVCBO Collector-Base Voltage 80 VVEBO Emitter-Base
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: TN3642 | HSE401 | HA06 | 2SD2051 | FC1404 | CDB550 | 2SA1427O
History: TN3642 | HSE401 | HA06 | 2SD2051 | FC1404 | CDB550 | 2SA1427O



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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