KSP5179 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSP5179

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 900 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO-92

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KSP5179 datasheet

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KSP5179

KSP5179 High Frequency Transistor TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 20 V VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V VEBO Emitter-Base Voltage 2.5 V IC Collector Current 50 mA PC Collector Power Dissipation (Ta=25 C) 200 mW Derate above

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KSP5179

KSP5179 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY TRANSISTOR TO-92 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 20 V Collector-Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter-Base Voltage VEBO 2.5 V Collector Current IC 50 mA Collector Dissipation (TA=25 ) PC 200 mW Derate above 25 1.14 mW/ Collector Dissipation (TC=25 ) mW PC 300 D

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