KSP5179 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSP5179
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSP5179
KSP5179 Datasheet (PDF)
ksp5179.pdf
KSP5179High Frequency TransistorTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 20 VVCEO Collector-Emitter Voltage 12 VVEBO Emitter-Base Voltage 2.5 VIC Collector Current 50 mAPC Collector Power Dissipation (Ta=25C) 200 mWDerate above
ksp5179.pdf
KSP5179 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH FREQUENCY TRANSISTORTO-92ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 20 VCollector-Emitter Voltage VCEO 12 VEmitter-Base Voltage VEBO 2.5 VCollector Current IC 50 mACollector Dissipation (TA=25 ) PC 200 mW Derate above 25 1.14 mW/ Collector Dissipation (TC=25 ) mWPC 300 D
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050