KSP94 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSP94

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 7 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO-92

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KSP94 datasheet

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KSP94

KSP94 High Voltage Transistor High Collector-Emitter Voltage VCEO= -400V Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSP44 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -400 V VCEO Collector-Emitter Voltage -400 V VEBO

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KSP94

KSP94 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR TO-92 High Collector-Emitter Voltage VCEO= -400V Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSP44 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -400 V Collector-Emitter Voltage VCEO -400 V Emitter-Base Voltage VEBO -6 V Collector Current IC -30

Otros transistores... KSC2001, KSC2330A, KSC2784, KSC2881, KSC2883, KSC5019, KSC5042F, KSP5179, BC337, KST3906, KST4125, KST5401, KST5551, MAT02, MMBT2222AK, PN2369A, MMBT2369A