TN6705A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TN6705A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO-226
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TN6705A
TN6705A Datasheet (PDF)
tn6705a.pdf
Discrete POWER & SignalTechnologiesTN6705ATO-226CBENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 1.2 A. Sourced fromProcess 38. See TN6715A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
tn6707a.pdf
TN6707ANPN General Purpose Amplifier These devices is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.0A Sourced from process 39.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter FPN660 UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Collector-Base Voltage 100 VVEBO Emitter-Base Volta
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2N2919
History: 2N2919
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050