UNR1215 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UNR1215

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: M-A1

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UNR1215 datasheet

 8.1. Size:263K  panasonic
 un1210q un1210r un1210s un1211 un1212 un1213 un1214 un1215q un1215r un1215s un1216q un1216r un1216s un1217q un1217r un1217s unr1210.pdf pdf_icon

UNR1215

Transistors with built-in Resistor UNR1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/ 121D/121E/121F/121K/121L (UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/ Unit mm 121D/121E/121F/121K/121L) 2.5 0.1 6.9 0.1 (1.0) (1.5) (1.5) Silicon NPN epitaxial planar transistor R 0.9 For digital circuits R 0.7 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment

Otros transistores... UNR111F, UNR111H, UNR111L, UNR1210, UNR1211, UNR1212, UNR1213, UNR1214, 2N2222, UNR1216, UNR1217, UNR1218, UNR1219, UNR121D, UNR121E, UNR121F, UNR121K