UNR121D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UNR121D
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 4.7
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: M-A1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UNR121D
UNR121D Datasheet (PDF)
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Transistors with built-in ResistorUNR1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L(UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/Unit: mm121D/121E/121F/121K/121L)2.50.16.90.1(1.0)(1.5)(1.5)Silicon NPN epitaxial planar transistorR 0.9For digital circuitsR 0.7Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
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