KN4F3M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KN4F3M

Código: P7

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SC-75 USM

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KN4F3M datasheet

 9.1. Size:379K  nec
 kn4a3 kn4a4 kn4f3 kn4f4 kn4l3 kn4l4.pdf pdf_icon

KN4F3M

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR KN4xxx RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR FEATURES PACKAGE DRAWING (Unit mm) Compact package 0.3 +0.1 0 +0.1 Resistors built-in type 0.15 0.05 Complementary to KA4xxx 3 0 to 0.1 ORDERING INFORMATION 21 PART NUMBER PACKAGE 0.2+0.1 0 KN4xxx SC-75 (USM) 0.6 0.5 0.5 0.75 0.05 1.0 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25

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