DN050 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DN050

Código: DN050

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TO-92

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DN050 datasheet

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DN050

DN050 NPN Silicon Transistor Features PIN Connection Extremely low collector-to-emitter C saturation voltage ( VCE(SAT)=0.07V Typ. @IC/IB=100mA/10mA) Suitable for low voltage large current drivers B Complementary pair with DP050 Switching Application. E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code DN050 DN050 TO-92 Absolute maximu

 0.1. Size:82K  rohm
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DN050

RDN050N20 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN050N20 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN 10.0 4.5 3.2 2.8 MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Drain (1) (2) (3) (3)Source Application Switching

 0.2. Size:266K  auk
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DN050

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