DN100S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DN100S
Código: N03
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DN100S
DN100S Datasheet (PDF)
dn100s.pdf
DN100SNPN Silicon TransistorFeatures PIN Connection Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.15V Typ. @IC/IB=400mA/20mA) 3 Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DP100S 1 Switching Application 2SOT-23F Ordering Information Type NO. Marking Package Code N03 DN100S SOT-23F
rdn100n20.pdf
RDN100N20 Transistors Switching (200V, 10A) RDN100N20 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. TO-220FN+0.3+0.34.5 -0.12) Low input capacitance. 10.0 -0.1+0.22.83.20.2 -0.13) Exellent resistance to damage from static electricity. Application 1.2Switching 1.30.8(1) Gate0.75+0.1 2.60.52.540.5 2.540.5 -0.05 Structure
dn100.pdf
DN100NPN Silicon TransistorFeatures PIN Connection Extremely low collector-to-emitter C saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.15V Typ. @IC/IB=400mA/20mA) Suitable for low voltage large current drivers B Complementary pair with DP100 Switching Application E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code DN100 DN100 TO-92 Absolute maxim
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