DN200F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DN200F
Código: N04
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 260 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: SOT-89
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DN200F datasheet
dn200f.pdf
DN200F NPN Silicon Transistor PIN Connection Features Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.2V Typ. @IC/IB=1A/50 ) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DP200F Switching Application SOT-89 Ordering Information Type NO. Marking Package Code N04 DN200F SOT-89 YWW 04 DEVICE CODE,
dn200.pdf
DN200 NPN Silicon Transistor Features PIN Connection Extremely low collector-to-emitter C saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.2V Typ. @IC/IB=1A/50mA) Suitable for low voltage large current drivers B Complementary pair with DP200 Switching Application E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code DN200 DN200 TO-92 Absolute maximum ra
Otros transistores... DN030E, DN030S, DN030U, DN050, DN050S, DN100, DN100S, DN200, A42, DN500, DN500F, DN500P, DP030, DP030E, DP030S, DP030U, DP100
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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