SBC556 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SBC556

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 110

Encapsulados: TO-92

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SBC556 datasheet

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SBC556

SBC556 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions General purpose application Switching application Features High voltage VCEO=-55V Complementary pair with SBC546 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SBC556 SBC556 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5 0.1 2.25 0.1 0.4 0.02 2.06 0.1 1.27 Typ. 2.54 Typ.

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SBC556

SBC557 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions General purpose application Switching application Features High voltage VCEO=-45V Complementary pair with SBC547 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SBC557 SBC557 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5 0.1 2.25 0.1 0.4 0.02 2.06 0.1 1.27 Typ. 2.54 Typ.

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SBC556

SBC558 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions General purpose application Switching application Features High voltage VCEO=-30V Complementary pair with SBC548 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SBC558 SBC558 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5 0.1 2.25 0.1 0.4 0.02 2.06 0.1 1.27 Typ. 2.54 Typ.

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