SBT5401F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SBT5401F

Código: NFN

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT23

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SBT5401F datasheet

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SBT5401F

SBT5401F PNP Silicon Transistor Description PIN Connection General purpose amplifier High voltage application 3 Features High collector breakdown voltage 1 VCBO = -160V, VCEO = -160V Low collector saturation voltage 2 VCE(sat)=-0.5V(MAX.) SOT-23F Complementary pair with SBT5551F Ordering Information Type NO. Marking Package Code NFN

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SBT5401F

SBT5401 PNP Silicon Transistor Description PIN Connection General purpose amplifier High voltage application Features C High collector breakdown voltage B VCBO = -160V, VCEO = -160V Low collector saturation voltage E VCE(sat)=-0.5V(MAX.) SOT-23 Complementary pair with SBT5551 Ordering Information Type NO. Marking Package Code NFN

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