SBT5401F Todos los transistores

 

SBT5401F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SBT5401F
   Código: NFN
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

SBT5401F Datasheet (PDF)

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SBT5401F

SBT5401FPNP Silicon TransistorDescription PIN Connection General purpose amplifier High voltage application 3 Features High collector breakdown voltage : 1 VCBO = -160V, VCEO = -160V Low collector saturation voltage : 2VCE(sat)=-0.5V(MAX.) SOT-23F Complementary pair with SBT5551F Ordering Information Type NO. Marking Package Code NFN

 7.1. Size:252K  auk
 sbt5401.pdf pdf_icon

SBT5401F

SBT5401PNP Silicon TransistorDescription PIN Connection General purpose amplifier High voltage application Features C High collector breakdown voltage : BVCBO = -160V, VCEO = -160V Low collector saturation voltage : EVCE(sat)=-0.5V(MAX.) SOT-23 Complementary pair with SBT5551 Ordering Information Type NO. Marking Package Code NFN

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History: BFJ49 | BDY23B | TN2907R | KTC3878 | FTA1663 | KSC5030 | SE6001

 

 
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