2N1218 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1218
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.07 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
2N1218 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1211-1 , 2N1212 , 2N1212-1 , 2N1213 , 2N1214 , 2N1215 , 2N1216 , 2N1217 , BC556 , 2N1219 , 2N122 , 2N1220 , 2N1221 , 2N1222 , 2N1223 , 2N1224 , 2N1225 .
History: SUT497H | MBT3904DW1T3G | 2SC3117 | D28D13 | RT1P140C | BD334
History: SUT497H | MBT3904DW1T3G | 2SC3117 | D28D13 | RT1P140C | BD334



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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