BLD123DL Todos los transistores

 

BLD123DL Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLD123DL

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO126 TO126S TO92 TO92S

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BLD123DL datasheet

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BLD123DL

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN / L SERIES TRANSISTORS BLD123DL NPN / L SERIES TRANSISTORS BLD123DL NPN /

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BLD123DL

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD123D NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD123D NPN D / D

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BLD123DL

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BLD123DL

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD123D NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD123D NPN D / D

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History: 2SC3547B | 2SB1273S | 2SB1229 | 2SA1274 | 2SC200 | 2SB1268Q

 

 

 

 

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