BLD135DH Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLD135DH
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 850 V
Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO251 TO251S TO252
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BLD135DH datasheet
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification BLD NPN / BLD NPN SERIES TRANSISTORS BLD135DH BLD NPN / BLD NPN SERIES TRANSISTORS BLD135DH BLD NP
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD135D NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD135D NPN D / D
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN / L SERIES TRANSISTORS BLD135DL NPN / L SERIES TRANSISTORS BLD135DL NPN /
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History: 3DA101
History: 3DA101
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Liste
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