BLD135DH . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLD135DH
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 850 V
Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO251 TO251S TO252
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BLD135DH Datasheet (PDF)
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD135DNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD135DNPN D / D
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN BLD / BLD SERIES TRANSISTORS BLD135DNPN BLD / BLD SERIES TRANSISTORS BLD135DNPN BLD
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN / L SERIES TRANSISTORS BLD135DLNPN / L SERIES TRANSISTORS BLD135DLNPN /
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