BLD135DL Todos los transistores

 

BLD135DL Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLD135DL

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO220 TO220S SOT82 SOT82S

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BLD135DL datasheet

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BLD135DL

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN / L SERIES TRANSISTORS BLD135DL NPN / L SERIES TRANSISTORS BLD135DL NPN /

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BLD135DL

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification BLD NPN / BLD NPN SERIES TRANSISTORS BLD135DH BLD NPN / BLD NPN SERIES TRANSISTORS BLD135DH BLD NP

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BLD135DL

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD135D NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD135D NPN D / D

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BLD135DL

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