BTA1514M3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTA1514M3
Código: 2L
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: SOT89
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BTA1514M3 datasheet
bta1514m3.pdf
Spec. No. C307M3 Issued Date 2007.01.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1514M3 Description The BTA1514M3 is designed for general purpose application requiring high breakdown voltage. Large IC , IC( Max) = -0.6A High BVCEO, BVCEO= -150V Complementary to BTC3906M3. Pb-free pac
bta1514n3.pdf
Spec. No. C307N3 Issued Date 2003.06.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.15 Page No. 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -160V BTA1514N3 IC -0.6A VCESAT(MAX) -0.3V Description The BTA1514N3 is designed for general purpose application requiring high breakdown voltage. Large IC , IC( Max) = -0.6A High BVCEO, BVCEO= -16
bta1576s3.pdf
Spec. No. C306S3 Issued Date 2002.05.11 Revised Date 2014.01.24 CYStech Electronics Corp. Page No. 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1576S3 Description The BTA1576S3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Excellent h linearity FE Complementary to BTC4081S3. Pb-free lead plating
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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