BTA1952E3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTA1952E3

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO220AB

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BTA1952E3 datasheet

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BTA1952E3

Spec. No. C601E3-A Issued Date 2004.09.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1952E3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.5 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.15A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Symbol Outline BTA1952E3 TO-220AB B Base C Collector B C E E Emi

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BTA1952E3

Spec. No. C601J3 Issued Date 2004.05.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.03.12 Page No. 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80V IC -5A BTA1952J3 RCESAT 150m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Complementary to BTC5103J3 R

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BTA1952E3

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BTA1952E3

Spec. No. C236K3 Issued Date 2012.10.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.25 Page No. 1/6 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1972K3 Description High BV CEO High current capability Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline TO-92L BTA1972K3 B Base C Collector E Emitter Ordering Information Device

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