BTC4505A3 Todos los transistores

 

BTC4505A3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTC4505A3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BTC4505A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  cystek
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BTC4505A3

Spec. No. : C210A3-R Issued Date : 2003.10.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2007.11.22 Page No. : 1/4 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTC4505A3 Features High breakdown voltage. (BV = 400V) CEO Low saturation voltage, typically V (sat) = 0.1V at I / I 10mA / 1mA. CE C B= Complementary to BTA1759A3 RoHS compliant package Symbol Outl

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BTC4505A3

Spec. No. : C210M3 Issued Date : 2003.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.06 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTC4505M3 Features High breakdown voltage, BV =400V. CEO (min) Low saturation voltage, typically V (sat) =0.14V at I /I 50mA/5mA. CE C B= Complementary to BTA1759M3. Pb-free package. Symbol Outline B

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BTC4505A3

Spec. No. : C210N3 Issued Date : 2003.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.10.19 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 400VIC 0.3ABTC4505N3 VCESAT(TYP) 0.1VFeatures High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typically V (sat) =0.1V at I /I 10mA/1mA. CE C B= Complementary to BTA1759N3 Pb-

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History: 2SC6011 | 2SC5144

 

 
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